噪声源和传播路径 如第1部分所述，dc-dc转换器在150 kHz至30 MHz的监管带宽上进行发射对于CISPR 32，以及CISPR 25更宽的150 kHz至108 MHz频率范围，根据总噪声电压或相对于接地的“不对称”干扰- LISN电阻器每条电源线。[2] dc-dc转换器的EMI噪声产生、传播和测量现象可以建模如图3所示。[2] 噪声源电压表示为VN，噪声源和传播路径阻抗分别表示为ZS和ZP。LISN的高频等效电路和EMI接收器仅为两个50- 电阻器。 同样如图3所示，分别的DM和CM噪声电压VDM和VCM是从总的测量每条电源线的噪声电压V1和V2。DM或“对称”电压分量定义为V1和V2矢量差的一半，而CM或“不对称”电压分量是矢量的一半V1和V2之和。 [3] 请注意，此处提供的VDM通用定义中可能存在6 dB的差异CISPR 16标准中规定的内容。
图3：。含噪声源的dc-dc变换器传导EMI发射模型传播路径和LISN等效电路。 CM噪声源阻抗主要是电容性的，ZCM随频率降低。同时，DM噪声源阻抗通常为电阻和电感，因此ZDM随频率增加。 降低传导噪声水平的一种方法是确保噪声源产生的噪声较小它本身对于噪声传播路径，我们试图通过滤波和其他方法来修改阻抗，以减少相应的电流。例如，在buck或boost转换器中降低CM噪声需要减少通过降低对GND的寄生电容来增加阻抗，或者使用Y电容器和/或CM扼流圈进行滤波。EMI缓解技术的详细分类将将在本系列文章的第4部分中讨论。 DM和CM EMI滤波 无源EMI滤波是最常用的EMI噪声抑制方法。顾名思义，这些过滤器仅使用无源元件。电力电子中使用的此类滤波器的设计尤其具有挑战性，由于滤波器端接有不同的噪声源（开关转换器）和负载（电源线）阻抗。[3,4] 图4a示出了传统的-阶段EMI输入滤波器以及整流和瞬态电压箝位dc或ac输入提供的dc-dc转换器的EMC保护功能。LISN高频图4中还包括本系列文章第1部分中的等效电路。 |
