DM传导噪声 DM噪声电流IDM是由于本征变换器开关动作引起的，在正极和回路电源线，在图1中标记为L1和L2。DM排放为“电流驱动”且与开关电流（di/dt）、磁场和低阻抗有关。DM噪声通常以环路面积小，具有闭合且紧凑的返回路径。 例如，在连续传导模式（CCM）下运行的buck变换器绘制梯形富含谐波的电流。这些谐波在电力线上表现为噪声。buck变换器的输入图1中指定为CIN的电容器有助于提供这些高阶电流谐波，但由于电容器寄生非理想特性等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）―一些谐波不可避免地以DM噪声的形式出现在电源电流中，即使在实际的EMI滤波器之后已添加阶段。 CM传导噪声 另一方面，CM噪声电流ICM在接地线中流动，并通过电源线L1和L2。CM发射为“电压驱动”，与高转换率电压（dv/dt）、电场和高阻抗。在非隔离dc-dc开关变换器的情况下，CM噪声主要是由于开关节点（SW）处的dv/dt，导致位移电流通过与MOSFET外壳、散热器和开关节点迹线相关的寄生电容。耦合电容与转换器输入或输出的长电缆连接也可能表示CM噪声路径。 图1中的CM电流被描绘为经由输入EMI滤波器CY1和CY2的Y帽返回。这个另一条返回路径是通过50- LISN装置的测量阻抗（在第1部分【1】中讨论）， 显然不可取。尽管CM电流的大小远小于DM电流，但它比很难处理，因为它通常在一个大的导电环路区域中流动，因此充当天线和表示辐射EMI增加的可能机制。 图2a所示为飞降压或隔离降压转换器的DM和CM传导路径。A厘米电流通过变压器T1的集中绕组间电容流向二次侧（在图2）并通过接地连接返回。给出了CM传播的简化等效电路在图2b中。 在实际的dc-dc转换器中，元件寄生，如MOSFET输出电容“COSS”，整流二极管结电容“CD”、主电感器绕组的等效并联电容（EPC）和输入和输出电容器都会影响电压和电流波形以及CM噪声骚乱这将在本系列文章的第3部分中进一步详细讨论。
图2：。飞巴克隔离变换器DM和CM传导噪声传播路径（a）；厘米等效电路（b）。 |
