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失效机制及版图设计技巧

2015-4-22 12:44| 发布者: 闪电| 查看: 96| 评论: 0

摘要: 知识点一 电过应力 电过应力(EOS)是指由对器件施加过大电压或电流而引起的失效。版图预防措施可以减小4种常见类型EOS失效发生的可能性:静电泄放(ESD)、电迁徙、介质击穿及天线效应。 1.静电泄放 静电泄放是由 ...


    3.防护措施:更纯净的化学试剂和更先进的工艺技术;掺磷;划封,如下图所示:

图 单层和双层金属CMOS或BiCMOS工艺中的划封。

    在划片线上可放置不同的扩散区,具体取决于制造者

 表面效应包括:热载流子注入、齐纳蠕变、雪崩诱发β衰减、负偏置温度不稳定性和寄生沟道和电荷分散。

    1.热载流子注入

    如果在硅表面附近有强电场,那么部分由强场产生的热载流子据具有足够的能量进入氧化层,这种机制称为热载流子注入。

    影响:它可引起MOS晶体管的严重看靠性问题。

    防护措施:重新设计受影响器件、选择器件的工作条件、改变器件的尺寸减小阀值电压漂移。



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