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失效机制及版图设计技巧

2015-4-22 12:44| 发布者: 闪电| 查看: 101| 评论: 0

摘要: 知识点一 电过应力 电过应力(EOS)是指由对器件施加过大电压或电流而引起的失效。版图预防措施可以减小4种常见类型EOS失效发生的可能性:静电泄放(ESD)、电迁徙、介质击穿及天线效应。 1.静电泄放 静电泄放是由 ...


    防护措施:通过在所有隔离区内设置基区抑制NMOS沟道的形成;CMOS工艺使用沟道终止来提高厚场阈值;设置场板可提供防止寄生沟道形成和电荷分散效应的全面保护。

 寄生效应包括衬底去偏置、少子注入和衬底效应。

    1.热载流子注入

    足量的去偏置可能引起一个或多个隔离结正偏,并向电路中注入少子。

图 标准双极工艺芯片剖面图,显示了由衬底电阻Rs引起的潜在衬底去偏置效应



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