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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 63| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    1)集电结电容CBC和集电区-衬底结电容CCS限制了晶体管的工作频率。

    2)二极管DBE,DBC,DCS的雪崩击穿电压限定了晶体管的工作电压。

    3)RE,RB,RC分别代表发射区、基区和集电区扩散形成的集成电阻

  1.标准双极型NPN晶体管

    标准双极型NPN晶体管的关键特征如下图所示。

    构造小信号NPN晶体管,小信号NPN晶体管通常采用正方形或者矩形的发射区。



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