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有源器件双极晶体管及其版图

2015-4-22 11:25| 发布者: 闪电| 查看: 59| 评论: 0

摘要: 下图是一个NPN晶体管的简化模型,二极管D1代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是βF。端电流有如下关系:IC=βF*IB。 与MOS管不同,BJT要求有稳定的基极电流以维持集电极 ...


    3.热击穿和二次击穿

    双极型晶体管工作于相对较高的温度时容易产生一种失效机制,称之为热击穿。

    随着晶体管逐渐变热,晶体管内稳定的电流流动区域会逐渐变小,直到所有电流都流过一个很小的温度很高的区域,称为热点。

    存在稳定热点的晶体管经常会在关断时自毁。失效经常发生在电压远小晶体管所标VCEO的情况下。主要是因为集电结的雪崩效应产生的。这种意外的雪崩电压降低被称为二次击穿。这种现象是由于稳定热点的存在,从而导致晶体管内出现极大电流密度的结果。

    热击穿和二次击穿通过限制晶体管的工作条件来避免。



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