无源器件电容及其版图

    2）多晶硅-多晶硅电容通常制作在场氧化层上。

    3）选择多晶硅-多晶硅电容器介质时需要考虑很多方面的因素。

    4）只要两极板都是重掺杂的，多晶硅-多晶硅电容的电压调制效应就相对较小。

    5）多晶硅-多晶硅电容的上下级板并不能完全互换。上级板的寄生电容通常小于下级板。

    4．堆叠电容

    1）下图为一金属-金属-多晶硅堆叠电容。第一层金属位于其他两个电极之间，所以几乎没有寄生电容；多晶硅/第二层金属电极有相对较大的寄生电容，因为多晶硅极板会通过多层氧化物（MLO）与衬底耦合。

图 金属－金属－多晶硅堆叠电容