无源器件电容及其版图

    2．MOS电容

    1）MOS晶体管可用作电容，但其轻掺杂背栅会使寄生电阻增大。使用在重掺杂扩散区上形成薄层氧化物介质能收到很好的效果。有时会采用标准双极工艺制作MOS电容，其下极板通过发射扩散区实现。

图 采用了电容氧化物掩模板的标准双极工艺制作的MOS电容版图和剖面图

    2）用作电容的MOS管有很大的串联电阻，这主要与下级板有关。这个电阻可以通过使用足够短的沟道长度实现最小化。

    3）MOS电容的发射极极板可以直接在标准双极隔离槽内形成，但生成的N+/P+结会产生很大的寄生电容通常会出现漏电。

    4）MOS的下级板也可以制作在与上级板相连的基区中。

    5）还可以采用BiCMOS工艺制作MOS电容。

    6）无论如何制作MOS电容，上下级板都不可能完全互换。下级板通常由有严重寄生结电容的扩散区构成。只有通过把电容的下级板连接到衬底电势才能消除这个结电容。MOS电容的上级板由淀积电极构成，它的寄生电容通常较小。