无源器件电容及其版图

  1．发射结电容

    1）结电容通常作在隔离岛内，隔离岛必须制作接触以确保集电结反偏，该接触也是的集电结和发射结并联，从而增大了总电容。

图 基极极板扩展进入隔离岛的结电容

    2）上图中的电容由两套从中部公共隔离岛/发射区接触伸出的叉指组成，这种布局有助于减小叉指长度和寄生电阻。

    3）在BiCMOS工艺中，可在P型外延层中制作基区-NSD结电容。