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无源器件电容及其版图

2015-4-14 13:49| 发布者: 闪电| 查看: 77| 评论: 0

摘要: 1.电容 1)电容是一类用于耦合交流信号.构建延迟和相移网络的无源器件。电容存储的是电场能量。2)如果导体中加入电荷,导体内部就会产生电场,电场的产生就意味着导体内电势的变化,这个关系可用下式定量表示:Q= ...


    2.集成电容类型

    1)发射结电容:标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。在零偏压下,这种电容能提供较大的单位面积电容(典型值为0.8fF/um2),但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐减小。

    2)MOS电容:用作电容的MOS晶体管的两种期望的偏置模式为:积累或强反型。MOS晶体管不适合作为电容使用,但它在CMOS工艺中往往是唯一的选择。

    3)多晶硅-多晶硅电容:很多CMOS和BiCMOS工艺已经包含了多层的多晶硅,所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤。多晶硅栅可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极,电阻多晶硅层可以用作形成上电极。

    4)堆叠电容:多层金属相互交叉形成堆叠电容器,可以部分解决单位面积电容较小的问题。

    5)横向通量电容:电容产生的电场方向和芯片表面平行,这些电容被称作是横向通量电容。

    6)高介电常数电容:使用高介电常数的电介质,利用相对较小的区域制作大电容器。



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