输入端TVS来自君耀，丝印CK，型号SMBJ30CA，为双向TVS，反向截止电压为30V，采用SMB封装。
贴片滤波电感特写。
输入端开关管来自DIODES，丝印HK8，型号为DMTH43M8LFGQ，NMOS，耐压40V，导阻3mΩ，工作温度175℃，符合AEC-Q101标准，采用PowerDI3333-8封装。
两颗56μF25V电容用于输入滤波。
同步升降压芯片来自芯源半导体，型号MPQ4263，芯片支持36V输入和输出电压，支持140W输出功率，满足PD3.1快充应用。芯片内部集成两个低侧MOS管和两个上管驱动器，符合AEC-Q100规范，采用QFN20封装。
两个高侧MOS管来自DIODES，丝印M2S，型号为DMT47M2SFVWQ，NMOS，耐压40V，导阻7.5mΩ，工作温度150℃，符合AEC-Q101标准，采用PowerDI3333-8封装。
4.7μH升降压电感特写。
输出滤波电容规格为56μF25V。
10mΩ取样电阻用于检测输出电流。
无线充电主控芯片来自易冲半导体，型号CPSQ8100，是一颗高效率高集成度的无线充电发射芯片，支持50W私有协议无线充电。芯片内部集成32位MCU内核，集成全桥驱动电路，Q值检测电路和调制解调电路，外围元件精简。
CPSQ8100内部存储器支持读写保护，具备I2C接口和UART通信接口，芯片内置三路半桥驱动器，支持配置成同步降压或同步升压，并具备硬件过压/欠压保护，具备过电流保护和过热保护，符合AEC-Q100 2级认证，采用QFN48封装。
易冲半导体 CPSQ8100 详细资料。
无线充电功率级来自伏达半导体，型号SN90050Q，是一款车规级无线功率发射芯片，芯片支持3-27V输入电压范围，瞬态耐压达35V，输出功率达50W。芯片内部集成全桥MOS管和驱动器，并集成无损电流检测和5V稳压输出，采用QFN21封装。
两颗56μF25V电容用于输入滤波。
两颗1μH电感用于输出滤波，中间设有白色NPO谐振电容。
用于切换无线充电线圈的MOS管来自DIODES，型号DMTH10H017LPDQ，双NMOS，耐压100V，导阻17.4mΩ，工作温度175℃，符合AEC-Q101标准，采用PowerDI5060-8封装。
PCBA模块背面还设有一颗同型号的MOS管。
主控MCU来自恩智浦，型号MWCT2013AVLH，芯片内置32位56800EX核心，主频为100MHz，内置256KB FLASH，64KB RAM，32KB ROM，具备CAN-FD，I2C等通信接口，采用64LQFP封装。
8.0000MHz时钟晶振特写。
