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2025-5-9 09:17| 发布者: 闪电| 查看: 11| 评论: 0
但 SiC 的高成本制约普及节奏,未来 SiC 与 Si-IGBT 可能同步发展,相互补充。与 IGBT 相比,SiC 材料同样存在亟待提升之处。1)目前 SiC 成品率低、成本高,是 IGBT 的 4~8 倍;2)SiC 和 SiO2 界面缺陷多,栅氧可靠性存在问题。受限于高成本,SiC 器件 普及仍需时日,叠加部分应用场景更加看重稳定性,我们认为 SiC 在逐步渗透的过程中将 与 Si-IGBT 一同成长,未来两者均有广阔的应用场景与增长空间。
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