《IGBT场效应半导体功率器件导论_袁寿财著_北京：科学出版社》 ... ...

本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件如VDMOS、Co0IMOS等也作了简单介绍。本书着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后附有相关参考文献，书后还附有全书统一使用的符号表。

本书可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读