第一个功率半导体整流器是在1952年由R,N,Hal1t研制出来的，其正向电流达35A，反向阻断电压达200V。四年后，J.LMo11等人比1又发明了可控硅整流器(英文缩写SCR，常称晶闸管)，并于次年(1957年)12月由GE公司推出了商品，当时的器件水平是工作电流为25A，阻断电压为300V，由于该器件可以通过很小的门极触发电流来控制流向负载(如电动机等)的大电流，因此很快在各个不同领域(从小功率的电动机传动到大功率的高压直流输电系统)中得到了广泛的应用，成为电为工业中的“主力队员”。但它存在如下一些缺点:一、关断速度太慢，故只能在低频下工作，二、门极不能关断阳极电流;三、只能控制单向电流。为了提高关断速度，后来推出了不对称品闸管、快速逆阻晶闸管等。为了使门极能够关断阳极电流，1961年又研制出了可关断晶闸管。为了能控制双向电流，1964年又推出了双向晶闸管。此后，这些器件在设计和制造方面不断有所改进，使它们的功率控制容量不断增大，工作频率不断提高。现在，单只晶闸管的功率控制容量可在1MW以上，工作频率达10kHz(参看图1-1)。 |
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