《超大规模集成电路工艺技术>

“IC是一种综合艺术”，这是西泽先生爱用的一句名言。IC和LSI的高性能、高集成度，只有在电路设计和所有制造技术中的每项工艺都达到一定的水平，而且各项技术都能互相配合、取长补短的情况下，才有可能实现。而且,生产IC的厂家的特色和指导方针都

会在产品特性中体现出来，这如同艺术作品一样，实在饶有兴味。一般情况下，常常认为只有微细图形形成技术才是使集成电路达到高性能、高集成度的决定性因素，这在直观上容易理解，因此也不是没有道理的。但只有亚微米图形形成技术，而无综合技术的研究作基础，别说制造亚微米IC，就连品体管的制作也难于实现。这一点可以通过笔者的切身体会加以说明。

大约十年前，我们研究室用电子束曝光技术试制1m沟道的MOS管时(1)，笔者担任了除电子束曝光外的全部工艺设计。

当时 MOS管的标准结构参数是，沟道长度10m，漏结深为2m以上，化度为1500~2000A。很明显，虽然用电子束曝光技术能够单纯地把乎面图形线宽做到14m左右，但仍得不到可资实用的器件。因此，在作电子束曝光试验的同时，为了弥补电子東曝光之不足，还要进行MOS管平面图形设计和当时尚未报导的亚微米晶体管综合设计等器件结构设计的研究，以及进行亚微米扩散技术、优质绝缘薄膜的低温生长技术、电子東曝光引起的放射线损伤的退火技术等的研究。这些新制造技术研究所要的人力和时间，都超过了电子束曝光技术本身。

因此，通过图形微细化来实现IC的高性能、高集成度,不仅需要研究微细图形形成技术，而且也必须综合研究与其相应的各种基础技术。此外，实现高性、高集成度的另一个重要因素，是研制新的器件和采用新的器件结构。要理解它们的作用，需从各个方面加以考虑。作为实例可列举如下，最先实现LSI的以MOS管为负载管的MOSIC最先使双极LSI达到高集成度的SBDTTL:进而使双极LSI达到与MOSIC有相同集成度的IL使MOS LSI达到高速和高集成度的以硅栅技术为代表的各种自对准技术，包括YMOS在内的DSA MOSLSI以及能使动态MOSRAM达到16上位的双层多晶硅单元构，等。